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開發背景
採用功率半導體器件的電流開關裝置(固態繼電器,以下稱SSR)廣泛應用於家電產品和工業設備等領域。今後,要想推進SSR的小型化和節能化,必須降低功率半導體的損耗,尤其是導通狀態下的電阻(導通電阻)。SSR目前主要使用的晶閘管、三端雙向可控矽開關元件和MOS場效應晶體管(MOSFET)等功率半導體器件的性能逐漸接近極限,需要開發新型低損耗功率半導體器件。
開發成果
研究團隊採用常規超結MOSFET(SJ-MOSFET)使用的超結技術,全球首次製作出了SJ-BJT(圖1),在保持高耐壓的同時,實現了低導通電阻和高電流放大率。

圖1:安裝在TO-247上的SJ-BJT
圖2是此次開發的SJ-BJT截面結構。如該圖所示,超結技術為周期性交替配置n型半導體區域和p型半導體結構,能同時實現功率半導體的高耐壓和低導通電阻。該技術此前主要用於SJ-MOSFET,降低了SJ-MOSFET的導通電阻。此次,通過將該技術用於矽雙極晶體管,並結合超結結構和空穴注入效應,在實現高耐壓的同時,降低了導通電阻,提高了電流放大率。

圖2:SJ-BJT的截面結構
在SJ-BJT的工作中,不僅是常規的超結結構的工作,如圖3所示,還會在導通狀態下經由超結的p型區域從基極向超結的n型區域有效注入空穴(圖中紅線),這是SJ-BJT的一大特點。該效應會引起促進電子電流(圖中藍線)的電導率調製現象,可以在降低導通電阻的同時,提高電流放大率。另外,以往的IGBT、晶閘管和三端雙向可控矽開關元件採用通過集電極側(或者陽極側)的p型區域注入空穴的結構,因此要想導通元件,至少需要0.7V以上的導通電壓,而SJ-BJT通過基極注入空穴,因此能以低集電極電壓導通,原理上可以降低導通電阻。

圖3:SJ-BJT的工作原理
表1:此次開發的矽SJ-BJT在室溫下的代表性特性

論文信息
題目:First Demonstration of Si Superjunction BJT with Ultra-High Current Gain and Low ON-resistance
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